凹型掺杂层位置对GaNGunndiode输运区中深能级缺陷分布影响,李亮,杨林安,本文首先通过Transmissionelectronmicroscopy(TEM)研究了凹形掺杂层位置对输运区长度1um的GaNGunndiode中刃位错分布的影响。相比顶部凹形槽掺�