纳米碳化硅晶须单分子光谱

导读:英飞凌科技股份公司推出第五代1200V thinQ!碳化硅肖特基二极管,进一步扩展了碳化硅产品阵容。 “第五代”碳化硅二极管采用了新的紧凑式芯片设计,将PN结设计融合到肖特基二极管单元场中。

高功率密度碳化硅MOSFET软开关三相逆变器损耗分析pdf,相比硅 IGBT，碳化硅 MOSFET 拥有更快的开关速度和更低的开关损耗。 碳化硅 MOSFET 应用于高开关频率场合时其开关损耗随着开关

碳化硅MOS管SiCMOS PFC功率器件主开关管的选择..如传统的PFC拓扑普通无桥PFC双升压无桥PFC图腾柱无桥PFC等并已成功大范围应用在设计过程中.碳化硅MOSFET相对于IGBT或超结

熔盐反应改性碳化硅陶瓷过滤器及其烟气过滤性能研究，王伟，李红伟，针对柴油机尾气处理中超细颗粒物难以高效过滤分离的难题，利用熔盐化学反应对多孔碳化硅过滤器的表面进行改性处理，生长出致密的

2020年2月,碳化硅的领导厂商之一英飞凌祭出了650V CoolSiCMOSFET,带来了坚固可靠性和高性能。它是如何定义性能和应用场景的?下一步产品计划如何碳化硅业的难点在哪里?为此,电子产品世界

功率因数校正(PFC)市场主要受与降低谐波失真有关的全球性规定影响。欧洲的EN61000-3-2是交直流供电市场的基本规定之一,在英国、日本和中国也存在类似的标准。EN61000-3-2规定了所有功耗

由于能源成本上升和人们积极应对全球变暖,电力电子设备的能源效率已经变得越来越重要。为了提升电力电子设备的能源效率,具有较低功率损耗的功率半导体器件技术是关键所在。在半导体器件中,功率损耗的降低可以改善

采用二次离子质谱法开展碳化硅中Cs离子迁移扩散的研究，臧航，黄智晟，首先用1.5MeV的Si离子在常温下注入多晶化学气相沉积3C-SiC制备非晶SiC，注量为5E16cm-2，然后使用400keV的C

采用了扫描电镜、能谱分析仪、X射线衍射等方法对高温煅烧下酸性煤灰在SiC质耐火板上煅烧渣样进行了测试,并就渣样的形貌、渣样成分及与SiC质耐火板之间的高温煅烧结渣特性进行了分析。结果表明:高温煅烧下,

大电流、高品质因子碳化硅肖特基二极管研究，宋庆文，张玉明，本文利用CVD方法生长厚度为10μm 的4H-SiC低掺杂同质外延材料，研制了有源区面积为2mmx2mm的肖特基结构功率整流二极管（Schot