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绝缘栅双极晶体管(Insulated-gate Bipolar Transistor—IGBT或IGT) GTR和MOSFET复合,结合二者的优点,具有好的特性。80年代中期问世以来,逐步取代了GT
大家都知道,IGBT单管相当的脆弱,同样电流容量的IGBT单管,比同样电流容量的MOSFET脆弱多了,也就是说,在逆变H桥里头,MOSFET上去没有问题,但是IGBT上去,可能开机带载就炸了。这一点很
2.5 Amp Output Current IGBT Gate Driver Optocoupler with Integrated (VCE) Desaturation Detection, UV
具有先进保护功能的新型IGBT门极驱动器集成电路.pdf
工业电机驱动的整个市场趋势是对更高效率以及可靠性和稳定性的要求不断提高。功率半导体器件制造商不断在导通损耗和开关时间上寻求突破。有关增加绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)导通损耗的一些权衡取舍是:更高的
IGBT驱动芯片集成饱和压降检测和驱动,饱和压降修改灵活保护速度快
详细的IGBT驱动保护资料,包括各种导致IGBT失效的愿因和保护方法。
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