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A paper described the new technology using the trench-assisted fiber to reduce the crosstalk
1200V IGBT SC特性研究（三种短路失效模式）
隔振沟在框架结构中的应用研究，管品武，李奇隆，隔震沟是一种简单有效的方法用于隔离除地震（机器、交通、爆炸等）以外的振动源引起的结构振动，然而，对于框架结构隔震沟的深度
Integratable trench MOSFET with ultra-low specific on-resistance
A novel SOI trench LDMOS with vertical double-RESRUF layer
In this paper, the scalability of dual trench epitaxial diode as the selector for phase change memor
trenchboi:himoresore的Trench Boi V1
TrenchMOSFET导通电阻的优化，周倩，陈雪萌，本文基于TrenchMOSFET的基本结构、工艺流程研究TrenchMOSFET的导通电阻，理论研究导通电阻的主要组成部分及各部分所占的比率。然后
TrenchSBR器件的CMP相关工艺研究，顾文炳，陈东坡，本文主要阐述了TrenchSBR（沟槽超级势垒整流器）的器件形貌改善经过及结果，并详细介绍了该类型器件围绕CMP工艺变更而对各项工艺的��
A novel low turnoff loss carrier stored SOI LIGBT with trench gate barrier
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