暂无评论
晶体管电气性能参数！！！！！！！！！！！
提出一种在光学上模拟晶体管的器件,以弱的输入光信号直接控制强的输出光信号。其基本原理是二次谐波产生对于相位匹配条件的紧密依赖关系。弱的输入信号能微扰双折射材料的折射系数,大大地影响从泵浦光束取出的二次
场效应管的型号_常用场效应管
本文提出了具有垂直高斯分布的全耗尽(FD)绝缘体上硅(SOI)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的亚阈值电流。 该模型基于二维Poissons方程和Boltzmann输运方程的解析近似解。
具有双材料栅极的无结圆柱形环绕栅极金属氧化物半导体场效应晶体管的准二维阈值电压模型
单晶体管46dB通过减少LDO噪音Maxim>AppNotes>AMPLIFIERANDCOMPARATORCIRCUITSPOWER-SUPPLYCIRCUITSKeywords:Low
意法半导体(STMicroelectronics) 今天推出了该公司第一批采用顶置金属片的PolarPAK:registered: 封装的功率IC,这种封装有助于大电流电源组件实现优异的热性能和更高的
意法半导体日前针对汽车市场推出新的大电流功率场效应MOS晶体管,该产品采用ST最新优化的STripFET专利技术,实现了最低的导通电阻。 STD95N04是一个40V的标准电平的DPAK产品
传统上,采用多晶硅栅极的场效应管利用场区LOCOS边缘的重叠来连接在薄的栅氧化区(图1)制造的N+型或P+型源极区和漏极区。由于深亚微米工艺发展使得栅极氧化区的厚度仅有7nm或更薄,而凹形衬底又是高度
世界晶体管手册，快速查找晶体管资料，包括所有型号的三极管，MOS管等
暂无评论