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采用简化的线性光源球面辐射模型,导出了线光源平板降膜光催化反应器液膜表面光辐照度和辐射能通量的计算公式。对表面光辐照度和辐射能通量进行了无因次化理论分析,在反应器面积一定的情况下,计算了不同线光源长度
理论上模拟分析了硅基绝缘(SOI)槽波导微环谐振腔加盖SiO2包覆层情况下的温度稳定特性。对比了槽微环和纳米线微环,以及不同结构的槽微环谐振腔的温度稳定性。得到在室温下,5 μm半径槽微环在1.55
可控合成金纳米结构表面增强拉曼散射研究，吴文刚，朱佳，本文提出一种基于表面增强拉曼散射光谱的超灵敏、廉价的生物分子检测方法，将电化学沉积与介电电泳相结合，通过控制交流电频率和
通过化学路线沉积的过渡金属硫族化物纳米复合薄膜目前吸引了广泛的关注，其廉价，简单并且可用于大面积应用。由于应变引起的性质改变和晶格失配，基底的作用在膜沉积以及控制其性质中变得非常重要。使用溶胶-凝胶技
硅纳米线阵列光电电极光电转换特性的仿真分析
以重掺杂硼的纳米硅浆料为硼源, 采用纳秒激光熔覆工艺, 在钝化发射极及背接触(PERC)电池背面形成了重掺杂硼的硅熔覆层。通过建立三维瞬态温度场的有限元仿真模型, 并利用单因素仿真实验, 得到了激光工
铜纳米线阵列表面池沸腾换热实验研究，史波，陈凯，采用直流电化学沉积法在光滑铜表面制备五种不同高度（$3mu m$、$5mu m$、$10mu m$、$20mu m$和$30mu m$）的铜纳米线阵列并
基于Cu衬底上超长ZnO纳米梳和纳米带的制备及生长机理研究，许玉娥，杜甲印，利用简单的热蒸发法首次在Cu衬底上合成了超长的ZnO纳米梳和纳米带，并采用扫描电子电镜和X射线衍射仪对其形貌和结构进行了表征
光诱导还原纳米银修饰硅纳米线阵列活性基底的SERS研究，石美霞，丁建华，采用温度控制法制备出硅纳米线（SINWs）阵列，表面渡一层TiO2 薄膜作为衬底，紫外光诱导在其表面自组装纳米银修饰（Ag/SI
智能剥离工艺硅表面腐蚀失效机理探究，董磊，，智能剥离工艺是SOI制成过程中较为常用的工艺之一。一些硅相关缺陷对于即将来临的低纳米IC产品来说显得更加敏感。在低于13nm制成的IC�
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