采用射频感应耦合离子源(ICP)在硅基底上沉积了DLC薄膜,并利用离子束溅射固体单晶石墨的方法掺入Si元素。通过原子力显微镜(AFM)和拉曼光谱对DLC薄膜的表面形貌及结构进行了分析表征。并用UTM-2摩擦磨损试验仪对薄膜进行了刻划测试,通过临界载荷的对比,分析了掺硅和纯DLC薄膜与基底的结合能力。结果表明,掺硅DLC薄膜具有良好的膜-基结合能力。