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我们在六个维度上围绕“线性颤动”超对称共形场理论（SCFT）的重力对偶分析了spin-2激发的质谱。 我们证明，对于整个引力解族，它满足一个边界，该边界对应于对偶场理论算子的尺度维的统一性边界。 我们
我们在高维，统一，共形场理论（CFT）中研究领先Regge轨迹的正性性质。 这些条件对应于平均零能条件（ANEC）的较高自旋泛化。 通过研究自旋更高的ANEC，我们将在带电的自旋算子的维度上得出新的界
我们在弱耦合规范共形场理论中考虑了更高的自旋算子。 混合标量相关器的交叉对称关系到不同的高自旋塔，我们研究了不同扭曲的高自旋算子对频谱和结构常数的影响。 在扰动理论中对所有循环都获得了约束。 可以将对
自旋偏压产生的电荷流整流，赵晓芳，翟峰，把自旋偏压施加到一个二终端装置中时，将会有电荷流产生。本文展示了这种电荷流的整流效应。我们研究的器件是自旋轨道耦合调制下
在本说明中，我们报告了我们对一维可积分自旋链的研究结果，该自旋链的临界行为由具有连续尺度尺寸范围的CFT支配。 有人认为，可以将连续理论的Bethe状态密度的计算简化为一类微分方程与常规合流超几何方程
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我们将arXiv:1401.1645的结果推广到OSp(1 | 2n)不变的描述上,该保形Sp(2n)是在具有额外张量方向的空间(超空间)中公式化的,具有更高自旋场的无限多重峰的结构,具有更高的自旋场
IO流的主要流
我们发现（1+1）维中的半BPS孤子杂质模型的超对称扩展保留了N$$\mathcal{N}$$=1超对称性的一半。这与以下事实有关：在玻色子领域（即半BPS孤子-杂质模型）中，只有一个孤子（例如扭结）
为了说明清楚杂质通过二氧化硅扩散的问题,我们仅用最简单的情况说明。假设二氧化硅的表面浓度为恒定不变的预淀积过程,并且扩散的初始条件为二氧化硅和硅中的杂质浓度为0。 图3.2 杂质通过二氧化硅扩散模型
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