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本文综述了现有高功率半导体激光器（其中包括单发射腔，bar 条，水平阵列和垂直叠阵）的封装技术，并讨论其发展趋势。分析半导体激光器封装技术存在的问题和面临的挑战，并给出解决问题和迎接挑战的方法和策略。
激光器的泵浦振荡器是用内装式变压、高频高反压大功率晶体管KT912B和KT926A构成的开关电路和用隧道二极管构成的整形器组成。泵浦脉冲重复频率为8 kHz,脉冲宽度100 ns,流过等效电阻6 Ω和
同轴封装带制冷DFB激光发射器，张博，梁红伟，本文在同轴封装结构分布式反馈激光器发射模块（DFB激光器发射模块）的内部设置热电制冷装置，并利用氮化铝（AlN）热沉块作为导热过
半导体激光器测试系统硬件设计与实现，汪曼，朱健春，本文研制了一种基于单片机控制的LD综合性能参数测试系统，该系统包括一台LD特性参数测试仪和一套运行在PC机上的测试软件。它采用PIC
负载接地式数控半导体激光器恒流源设计，徐正山，赵同刚，根据封装形式的不同，半导体激光器可分为负载浮置式及负载接地式两种类型。本文设计和实现了一款基于STM32F103ARM处理器的小功率接��
作者研制了一种带有半导体激光器寿命检测的驱动电源，该电源通过高精度的采样电路和分步调整方式，不仅可以达到恒功率控制，而且
本文中设计的半导体激光器驱动电源的控制系统通过慢启动电路、恒流源电路和光功率反馈电路等,解决了恒流和在工作温度范围内输出功率的不稳定问题,稳定度较高。
高功率半导体激光器系统作为发展成熟的激光光源,在材料加工和固体激光器泵浦领域具有广泛应用。尽管高功率半导体具备转换效率高、功率高、可靠性强、寿命长、体积小以及成本低等诸多优点,但是光谱亮度相对较差则是
索尼公司最近用MOCVD法(有机金属气相生长法),研制成室温连续振荡、最大输出为1瓦的髙功率AlGaAs系半导体激光器( 波长770~840纳米)。
目前,对于单片集成光电子回路来说,最大的限制就在于缺少合适的光源,而基于化合物材料的半导体激光器由于工艺上与标准集成电路工艺不兼容,无法实现单片集成电路。所以只能选择硅作为基本材料的发光器件,即硅发光
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