报道了具有两个沟道层的GaN / InAlGaN的GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）的潜在影响。 使用二维和双载流子器件仿真，我们研究了器件性能，重点是电势，电子浓度，击穿电压和跨导（gm）。 而且，将结果与AlGaN / GaN HEMT的结构进行了比较。 我们的仿真结果表明，所提出的结构增加了电子浓度，击穿电压和跨导。 并减少泄漏电流。 同样，InAlGaN中铝的摩尔分数也经过了优化，以创建性能最佳的器件。