暂无评论
功率半导体器件的直接均流技术的解析pdf,无论是基础功率半导体器件,如:整流二极管(RecTIfierdiodes简称RD,含快恢复整流二极管FRD)、晶闸管(SCR,含快速、高频晶闸管)、双向晶闸管
首先阐述了传统测试条件下功率MOSFET管的数据表中雪崩能量值的缺陷,然后讨论了针对实际应用对应着不同的测试电感值时,功率MOSFET雪崩能量的变化及特性,给出了相应的测试波形。同时,通过不同条件下功
为满足晶体管用户的需求,有源器件的功率密度持续增长。商用无线通讯、航空电子、广播、工业以及医疗系统应用推动固态功率封装随着更小输出级器件输出更高输出功率的要求而发展。对飞思卡尔半导体公司而言,为这些应
本文主要讲了一下关于功率开关器件的驱动电路原理,一起来学习一下
电力电子器件(Power Electronic Device),又称为功率半导体器件,用于电能变换和电能控制电路中的大功率(通常指电流为数十至数千安,电压为数百伏以上)电子器件。
1、额定电压 在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压有效值,一般直接标注在电容器外壳上,如果工作电压超过电容器的耐压,电容器击穿,造成不可修复的永久损坏。 2、标称电容量
BUCK变换器实现PFC功率较正的机理及其仿真pdf,BUCK变换器实现PFC的机理及其仿真.pdf
熟悉电子电路设计的朋友一定都知道,在电源整体设计中存在一些发热非常严重的器件,如整流桥、MOS管、快恢复二极管这些器件。而在功率电源中,电感和高频变压器则成为了发热现象的重灾区。那么在功率电源中,它们
重点讨论核函数的选择以及带宽矩阵的计算等关键技术,归纳了均值漂移算法在模式检测、聚类、图像分割以及物体实时跟踪等方面的应用
在一个p-n结中,所加的反向电压完全由耗尽层来承担,因此,高压大功率垂直结构器件需要很厚的轻掺杂的硅层来承担很高的反向击穿电压。目前,高压大功率器件的衬底材料主要有三种制备技术:高温三重扩散、气相外延
暂无评论