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在电子设计中,IRS2902S作为D类功放驱动器,与场效应管(MOSFET)组合使用,可以实现高效的音频功率放大。在这个配置中,MOSFET通常用作开关元件,IRS2902S负责产生精确控制的驱动信号
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第一节 卫生监督协管服务 规范;2009年7月启动的国家基本公共卫生服务项目是中国受益人群最广的公共卫生干预策略国家基本公共卫生服务项目针对当前中国居民存在的主要健康问题以儿童孕产妇老年人慢性疾病患者
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在这项研究中,使用蒙特卡罗模拟设计了在倍增区域中具有双异质结AlN / AlxGa1-xN / GaN的独立吸收,分级,电荷和倍增(SAGCM)雪崩光电二极管(APD),以减少多余的噪声。 倍增区域被
LT1930ASOT-23封装有2.2MHZ升压型DC/DC变换器,可有效解决雪崩光电二极管(APD)的低噪声偏置电路存在的占有面积大,及灵敏度与噪声偏置电源之间的矛盾。==!"#$%&'()
在盖革模式下工作的雪崩光子二极管和雪崩二极管阵列具有单光子检测功能。 保护环的结构是避免雪崩二极管过早边缘击穿并增加最大偏置电压的关键因素。 在这封信中提出了一种新的保护环结构,其中将浮动保护环放在p
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一、缓存处理流程 处理Reids缓存引发的问题时,我们首先得知道缓存处理的一个流程,如下图: 二、缓存穿透,缓存击穿和缓存雪崩 缓存穿透 描述:缓存穿透是指缓存和数据库中都没有的数据,而用户不断发起请
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