导读:近日,英飞凌科技股份公司开发出新一代功率MOSFET系列器件,该系列器件主要是针对体二极管硬式整流进行优化而退出的200V和250V OptiMOS FD,新产品的推出进一步完善了中压产品组合。 据了解,英飞凌的新一代功率MOSFET器件针对最高性能标准而优化的反向恢复电荷(Qrr),比标准的200V和250V OptiMOS,200V和250V OptiMOS FD的Qrr降低了40%,大幅提升了系统可靠性,从而最大限度地减少了对缓冲电路的需求;全新OptiMOS FD改善了硬换向耐用性,从而可以在更为苛刻的条件下使用,如更高dv/dt、di/dt和电流密度,从而可以实现最高的效