从1959年美国TI公司发明第一块集成电路(IC)以后,集成电路工艺技术即向着两个方向发展: (1)沿硅片横向和垂直硅片纵向加工精度的提高方向,使得器件特征尺寸从亚微米、深亚微米、超深亚微米(VDSM)到纳米(nm),并能形成各种结构; (2)沿匀场范围的扩大方向,使得芯片面积由100mm2增加到200mm2甚至300mm2及以上。每个管子在缩小,芯片面积在扩大,两者的乘积使得IC集成度的CAGR(CommutationAverageGrowthRate)每年达到58%。这就是摩尔(Moore)定律指出的三年翻四番。 微电子的加工技术已达到这样的程度:能在硅片上制作出电子系统