硅器件弥补性能差距 尽管砷化镓有上述公认的缺点,但与硅器件相比其卓越的噪声系数和三阶截取(IP3)线性度会胜过这些不足。然而,随着当今新技术发展的优势逐渐克服传统的局限,硅器件已经是GaAs较强的竞争对手,可以提供更经济和更可靠的解决方案。 IDT公司的F2912等新一代RF开关采用SOI技术,可以在或靠近PA装配线的非常高的温度环境下可靠地工作。这些新的硅基开关在温度高达+120°C时仍具有卓越的性能(0.4dB插入损耗,+65dBm IP3,60dB隔离度)。 类似于IDT F1240等新一代硅中频(IF)可变增益放大器通过集成FlatNoise 技术已经使信噪比(SNR)实现