本文提出了一种具有变漂移区宽度结构的新型的 SOI 横向高压器件,该结构通过漂移区内的侧壁氧化层改变漂移区的宽度。借助三维器件仿真软件 davinci 对其耐压特性进行了深入分析。结果表明,变漂移区宽度结构不但可以使击穿电压提高 31.5%,而且可以使漂移区掺杂浓度提高 83%。从而降低漂移区电阻。同时,变漂移区的侧壁氧化层可以通过介质隔离技术得到,无需多余的掩膜版。因此具有工艺简单,工艺成本低等优点。