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部分SOI技术中具有阶跃掺杂漂移区的600V级LDMOS
本文提出了一种具有变漂移区宽度结构的新型的 SOI 横向高压器件,该结构通过漂移区内的侧壁氧化层改变漂移区的宽度。借助三维器件仿真软件 davinci 对其耐压特性进行了深入分析。结果表明,变漂移区宽
600V+LDMOS器件设计
提出了一种新的具有界面空穴岛(HI)层的局部SOI(绝缘体上硅)(PSOI)高压P沟道LDMOS(横向双扩散金属氧化物半导体),并从理论上研究了其击穿特性。 高浓度的电荷积聚在界面上,其密度随负漏极电
提出了具有复合掩埋层(CBL)的SOI LDMOS。 CBL由具有Si窗口和两个氧化物台阶的上部掩埋氧化物层(UBOX),多晶硅层和下部掩埋氧化物层(LBOX)组成。 在阻塞状态下,UBOX和LBOX
提出了一种具有降低的单元间距的低比导通电阻(R(S,on))绝缘体上硅(SOI)沟槽MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。 横向MOSFET具有多个沟槽:漂移区中的两个氧化物沟槽和延伸至掩埋氧
具有薄层SOI的新型超结LDMOS(> 950 V)
SOI线性掺杂LDMOS的设计与实验，顾志华，荣国光，SOILDMOS是通过将电压降转嫁到漂移区上来实现耐高压的。在实际工程应用中，我们考虑的是如何用最简单的工艺流程，得到尽可能高的击
提出了一种新颖的三重RESURF(T-surf)SOI LDMOS结构。 该结构具有P型掩埋层。 首先,耗尽层可以在P埋层的两侧延伸,用作三重RESURF,并导致高漂移掺杂和低导通电阻。 其次,在漂移
平带条件下SOInLIGBT漂移区表面小注入间接复合寿命模拟，张海鹏，华柏兴，首先简介了所提出的一种基于硅-二氧化硅界面态能级连续分布多项式插值近似的平带条件下SOInLIGBT漂移区表面小注入间接复
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