提出了一种新颖的三重RESURF(T-surf)SOI LDMOS结构。 该结构具有P型掩埋层。 首先,耗尽层可以在P埋层的两侧延伸,用作三重RESURF,并导致高漂移掺杂和低导通电阻。 其次,在漂移区的高掺杂浓度下,P层可以减小漂移区中的高体电场,并增强漏极侧的垂直电场,这导致均匀的体电场分布和增强的BV。 所提出的结构首次在SOI设备中使用。 通过模拟在2μm厚的掩埋氧化物层上的6μm厚的SOI层上获得具有BV D 315V的T型表面SOI LDMOS,与双RESURF(相比,其Rsp从16.5减小到13.8mΩcm2( D-surf)SOI LDMOS。 当SOI层的厚度增加时,T型表面