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具有新型结型场板的低比导通电阻SOI LDMOS
提出了一种新颖的三重RESURF(T-surf)SOI LDMOS结构。 该结构具有P型掩埋层。 首先,耗尽层可以在P埋层的两侧延伸,用作三重RESURF,并导致高漂移掺杂和低导通电阻。 其次,在漂移
提出了具有复合掩埋层(CBL)的SOI LDMOS。 CBL由具有Si窗口和两个氧化物台阶的上部掩埋氧化物层(UBOX),多晶硅层和下部掩埋氧化物层(LBOX)组成。 在阻塞状态下,UBOX和LBOX
具有超强电荷累积效应的新型高品质SOI SJ LDMOS
薄层SOI场p沟道LDMOS对RON,sp和BV的后栅极效应
更高密度的低功率SMPS设计需要越来越多的高压MOSFET器件。英飞凌科技股份公司推出CoolMOS? P7系列的新成员950 V CoolMOS P7超结MOSFET器件。该器件甚至能达到严格的设计
提出了一种新的具有界面空穴岛(HI)层的局部SOI(绝缘体上硅)(PSOI)高压P沟道LDMOS(横向双扩散金属氧化物半导体),并从理论上研究了其击穿特性。 高浓度的电荷积聚在界面上,其密度随负漏极电
具有阶梯掺杂漂移区的600V级部分SOI LDMOS
场注入对薄层SOI场P沟道LDMOS截止和导通状态特性的影响
具有增强的RESURF效果的超低比导通电阻高压沟槽SOI LDMOS
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