高功率半导体激光器系统作为发展成熟的激光光源,在材料加工和固体激光器泵浦领域具有广泛应用。尽管高功率半导体具备转换效率高、功率高、可靠性强、寿命长、体积小以及成本低等诸多优点,但是光谱亮度相对较差则是
索尼公司最近用MOCVD法(有机金属气相生长法),研制成室温连续振荡、最大输出为1瓦的髙功率AlGaAs系半导体激光器( 波长770~840纳米)。
由于半导体激光器快慢轴方向的光束质量相差较大, 为完成半导体激光器堆栈的光纤耦合, 通常采用棱镜堆对光束进行整形。提出一种先填充快轴方向暗区、后旋转重排的光束整形技术, 基于棱镜内部的全反射和平行平板
在砷化镓衬底上设置两个突起,把激活层减薄至0.05微米,由此可以得到世界最高水平的单横模、高功率(25毫瓦)半导体激光器“MEL4744”。这是松下电子工业公司最近研制成功的。这种称为双峰衬底(TRS
由于目前在实验室内已能制得长波长的二极管激光器,故重点已转向如何能高效率制备。美国无线电公司普林斯顿实验室的G. H.沃尔森已用汽相外延法迅速长出了InGaAsP/InP激光器。这种激光器的输出在1.
市售的商用半导体激光器由于其线宽宽、抖动和漂移大等缺点, 不能满足离子阱中单个钙离子的激光冷却和精细测量实验的要求。因此, 制作了一台可调谐的Littrow结构的半导体激光器(ECDL)。该激光器的自
日本国际电信电话公司研究所采用将阴性型光致抗蚀剂与阳性型光致抗蚀剂同时以双光束干涉曝光的全新方法,研制成原理上一定从单波长振荡的分布反馈半导体激光器。
结温/热阻是反映激光器器件散热能力的综合参数,与封装焊料层的烧结质量关系密切。本文分别通过正向电压法和波长漂移法,测试计算得到激光器的工作结温,利用扫描声学显微镜分析了激光器焊料层中空洞分布;验证了结
对高功率GaAs/GaAlAs量子阱激光器(808 nm)的低频(100 Hz~20 kHz)电流调制特性进行了实验研究,测量了激光输出功率、接通延迟时间、阈值电流、正脉冲的占空比等与调制频率和调制电
电子辐射是空间辐射环境的重要组成部分, 也是地面模拟空间辐射环境的重要手段。为了研究半导体激光器在空间辐射环境下应用的可行性, 通过电子加速器的电子辐照模拟空间辐射环境, 以研究半导体激光器总剂量效应
