栅漏电流大的MOS器件噪声特性的研究仍是现今研究中活跃的课题。尤其当MOS-FET缩减至直接隧穿尺度(<3nm)时,栅漏电流噪声模型显得尤为重要,并可为MOSFET可靠性表征和器件设计提供依据。文中基于MOSFET栅氧击穿效应和隧穿效应,总结了栅漏电流噪声特性,归纳了4种栅漏电流噪声模型,并对各种模型的特性和局限性进行了分析。