EDA/PLD中的65nm FPGA向多模无线基站为代表的高端应用渗透

随着TD-SCDMA进入大规模商业实验,WiMAX加入ITU成为第4个3G标准,爱立信率先完成LTE全链路高速传输试验,IMT-Advanced 开始提案征集,移动通信越来越多地呈现了多标准共存的局面

随着工艺技术向65nm以及更小尺寸的迈进,出现了两类关键的开发问题:待机功耗和开发成本。这两个问题在每一新的工艺节点上都非常突出,现在已经成为设计团队面临的主要问题。在设计方法上从专用集成电路(ASI

Altera宣布低功耗、低成本Cyclone III系列65-nm FPGA所有8个型号的产品级芯片实现量产。推出以来,Cyclone III系列产品已迅速应用于无线、军事、显示、汽车和工业市场的大量

Xilinx公司发布其新的 Virtex-5 系列领域优化现场可编程门阵列 (FPGA),该系列基于业界最先进的 65 纳米 (nm) 三极栅氧化层技术、突破性的新型 ExpressFabric 技术

Altera公司发售65-nm Stratix III FPGA系列的首个型号产品EP3SL150。EP3SL150逻辑单元达到150K,在所有高密度、高性能可编程逻辑器件中,其功耗最低,适合高性能计

防火墙(firewall)是一项协助确保信息安全的设备,会依照特定的规则,允许或是限制传输的数据通过。防火墙可以是一台专属的硬件也可以是架设在一般硬件上的一套软件。所谓防火墙指的是一个由软件和硬件设备

FPGA是英文Field Programmable Gate Array的缩写,即现场可编程门阵列,它是在PAL、GAL、EPLD等可编程器件的基础上进一步发展的产物。它是作为专用集成电路(ASIC)

美国夏威夷火努鲁鲁举行的超大规模集成电路(VLSI)2006年专题研讨会上,瑞萨科技公司宣布,开发出一种有助于采用65nm(65纳米)制造工艺生产的SRAM(静态随机存取存储器)实现稳定运行的技术。新

1 引言 大多数非FPGA类型的、高密度IC(如CPU)对去耦电容都有非常明确的要求。由于这些器件仅为执行特定的任务而设计,所以其电源电流需求是固定的,仅在一定范围内有所波动。然而,FPGA不具备

深亚微米工艺下MOS管漏电流,对MOS管漏电原因进行了详细分析。除此之外,针对目前深亚微米工艺下MOS管漏电降低技术进行了介绍。