对于大截面的SOl光波导来说,顶层硅的厚度不一定能满足要求。这时候就需要外延生长一定厚度的硅。一般的外延技术采用化学气相沉积CVD(Chemical Vapor Deposition)来实现。CVD是一种利用气体混合物发生反应,从而在硅表面淀积一层固态硅单晶薄膜的方法。对于硅来说,二氯甲烷是一种常用的气体源,硅表面温度需升高到1 000°C来提供能量,驱动化学反应。若用MBE(分子束外延)方法生长单晶硅,则气态和固态源均可以用。但一般光波导用的硅外延生长以CVD占主导地位,因为它可以在较短的时间生长到所需要的厚度。一般商用的设备和工艺可以使得外延层厚度均匀性小于1%。 外延生长除了可以达