元器件应用中的IR推出100V集成MOSFET解决方案为PoE应用节省80%的占位空间

国际整流器公司(IR)近日推出IRF4000型100V器件。该器件将4个HEXFET MOSFET集成在一个功率MLP封装内,可满足以太网供电(PoE)应用的需求。这款新器件符合针对网络和通信基础设施

国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日推出IRF4000型100V器件。该器件将4个HEXFET MOSFET集成在一个功率MLP封装内,可满足以太网供电(Po

国际整流器公司(IR)日前推出IRF4000型100V器件。该器件将4个HEXFET MOSFET集成在一个功率MLP封装内,可满足以太网供电(PoE)应用的需求。这款新器件符合针对网络和通信基础设施

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)日前宣布推出采用SO-8封装的80V N沟道MOSFET器件——FDS3572。该器件能同时为DC/DC转换器的初级和次级同步整流开关电

Diodes公司推出两款N沟道MOSFET,为* (VoIP) 通信设备的设计人员带来一种更坚固的解决方案,极大地降低了电路的复杂性和成本。 ZXMN15A27K及ZXMN20B28K经过特别设计

国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 宣布推出具有基准低通态电阻 (RDS (on)) 的沟道型HEXFET功率MOSFET系列。这些采用TO-247封装的MO

国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR)推出专为笔记本电脑、服务器CPU电源、图形,以及内存稳压器应用的同步降压转换器设计而优化的全新30V DirectFET M

MOSFET 管并联工作时,需要考虑两个问题: 1) 满载时,并联器件完全导通时的静态电流分配是否均衡. 2) 通断转换过程中它们的动态电流是否分配均衡. 在并联工作的情况下,无论是静态还

意法半导体推出快速恢复MOSFET晶体管新产品系列,为满足包括再生能源控制器在内的以能效为中心的应用需求,新产品在现有产品的基础上提高了开关性能,同时还使导通电阻实现超过18%的降幅。 STW55

全球功率半导体和管理方案领导厂商 - 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出100V FastIRFET功率MOSFET IRFH7185TRPbF,为通信