铜线上使用钴封层的优越性
电迁移 (EM)现象是众所周知的可靠性问题,它是由于电子按电流的方向推移金属原子引起的,推移速度由电流密度决定。电迁移可能最终导致铜线减薄,并使电阻率增大,更严重的还可能使铜线断裂。幸运的是,IC上互连线的电流并不总是按照相同的方向移动,这种情况大多发生在电源和接地线中。但随着互连线变得越来越细,国际半导体技术蓝图(ITRS) 要求每个技术节点的线宽大约减少0.7倍,这使问题就会变得更加严重。 Novellus Systems公司的“电镀产品线”的产品主管Ted Cacouris说:“由于几何尺寸不断缩小,必然会增加电流密度,使电迁移问题随之扩大,成为主要的效应。人们从什么时候开始对此表示担
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