1PMT30AT1的技术参数

产品型号:MBT3906DW1T1类型:双PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):40集电极最大电流Ic(max)(mA):200直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大

产品型号:MBT3946DW1T1类型:双晶体管集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):40集电极最大电流Ic(max)(mA):200直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大

产品型号:NSR15SDW1T1反向峰值电压(V):15反向雪崩电压典型值(V):20最大平均正向电流(mA):30最大全周期正向压降1:415mV @ 1.0mA最大全周期正向压降2:680mV @

产品型号:NSR15DW1T1反向峰值电压(V):15反向雪崩电压典型值(V):20最大平均正向电流(mA):30最大全周期正向压降1:415mV @ 1.0mA最大全周期正向压降2:680mV @1

产品型号:NSTB60BDW1T1类型:PNP/NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):150直流电流增益(min)(dB):120R1(Ω):22KR2(Ω):10K芯片上

产品型号:NTR1P02LT1源漏极间雪崩电压VBR(V):-20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):220@-4.5V最大漏极电流Id(on)(A):-1.300通道极性:P沟道封装/温度(°

产品型号:NTR1P02T1源漏极间雪崩电压VBR(V):-20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):148@-10V最大漏极电流Id(on)(A):-1通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOT

产品型号:MBT3904DW1T1类型:双NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):40集电极最大电流Ic(max)(mA):200直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大

产品型号:HN1B01FDW1T1G类型:NPN./PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):50集电极最大电流Ic(max)(mA):200直流电流增益hFE最小值(dB):200直流电流增益

产品型号:NCP346SN1T1G工作电压(V):3.0~25复位门限(V):4.450门限滞后(mV):50低电平复位:-高电平复位:√工作电流典型值(uA):750封装/温度(°C):TSOP-5