MBRD650CTT4的技术参数

产品型号:MJD5731T4G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):350集电极最大电流IC(Max)(A):1直流电流增益hFE最小值(dB):10直流电流增益hFE最大值(dB):

产品型号:NCV4276DSADJR4G输出电压典型值(V):ADJ.输出电流典型值(A):0.400极性:正压差典型值(V):0.250输入电压最大值(V):45封装/温度(°C):D2PAK-5/

产品型号:NCP5663DSADJR4G输出电压典型值(V):Adj输出电流典型值(A):3极性:正压差典型值(V):1.0/3.0A输入电压最大值(V):9封装/温度(°C):D2PAK/-40~1

产品型号:1.5KE51ARL4JEDEC(电子器件工程联合会)型号:1N6288A雪崩电压VBR(V):51峰值反向工作电压VRWM(V):1最大反向漏电流IR(uA):43.600最大反向浪涌电流

产品型号:MURD330T4G峰值反向电压VRRM(V):300最大平均正向电流IO(A):3最大全周期正向压降VF(V):1.150最大非重复浪涌电流IFSM(A):75最大反向电流IR(mA):0

产品型号:NTD4810NT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):10最大漏极电流Id(on)(A):54通道极性:N封装/温度(°C):DPAK-4/-55

产品型号:TLC27L4ID通道数:4关断功能:No工作电压Max. (V):16工作电压Min. (V):3每通道IQ(典型值)(Max.)(mA):0.020带宽(典型值)(MHz):0.090转

产品型号:MJD200T4G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):25集电极最大电流IC(Max)(A):5直流电流增益hFE最小值(dB):45直流电流增益hFE最大值(dB):18

产品型号:1.5KE170ARL4JEDEC(电子器件工程联合会)型号:1N6301A雪崩电压VBR(V):170峰值反向工作电压VRWM(V):1最大反向漏电流IR(uA):145最大反向浪涌电流I

产品型号:NTD4806NT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):6最大漏极电流Id(on)(A):76通道极性:N封装/温度(°C):DPAK-4/-55~