RB751V40T1G的技术参数

产品型号:MM3Z5V1T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):4.800齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.100齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.400@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):60最大

产品型号:MM5Z5V1T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):4.980齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.100齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.200@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):60最大

产品型号:NCP346SN1T1G工作电压(V):3.0~25复位门限(V):4.450门限滞后(mV):50低电平复位:-高电平复位:√工作电流典型值(uA):750封装/温度(°C):TSOP-5

产品型号:MBT6429DW1T1G类型:NPN/NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):45集电极最大持续电流IC(Max)(A):0.200直流电流增益hFE最小值(dB):500直流电流

产品型号:NSR15DW1T1G反向峰值电压(V):15反向雪崩电压典型值(V):20最大平均正向电流(mA):30最大全周期正向压降1:415mV@1.0mA最大全周期正向压降2:680mV@10m

产品型号:MUN5114DW1T1G类型:PNP/PNP集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):80R1(Ω):10KR2(Ω):47K芯片上

产品型号:EMX1DXV6T1G类型:NPN/NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):120R1(Ω):560R2(Ω):180芯片上标

产品型号:MBT3946DW1T1G类型:PNP/NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):40集电极最大电流Ic(max)(mA):200直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益h

产品型号:BC847BDW1T1G类型:双NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):45集电极最大电流Ic(max)(mA):100直流电流增益hFE最小值(dB):200直流电流增益hFE最大

产品型号:MBT3904DW1T1G类型:双NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):40集电极最大电流Ic(max)(mA):200直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最