MBRS410ET3G的技术参数

产品型号:MURA215T3G峰值反向电压VRRM(V):150最大平均正向电流IO(A):2最大全周期正向压降VF(V):0.950最大非重复浪涌电流IFSM(A):40最大反向电流IR(mA):0

产品型号:BSS123LT3G源漏极间雪崩电压VBR(V):100源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):6000最大漏极电流Id(on)(A):0.170通道极性:N沟道封装/温度(°C):SOT

产品型号:MC33164P-3G工作电压(V):1.0~10复位门限(V):2.71(VIN增加) 2.65(VIN减少)门限滞后(mV):60低电平复位:√高电平复位:-工作电流典型值(uA):24

产品型号:MC33164D-3G工作电压(V):1.0~10复位门限(V):2.71(VIN增加) 2.65(VIN减少)门限滞后(mV):60低电平复位:√高电平复位:-工作电流典型值(uA):24

产品型号:1SMA8.5AT3G峰值反向工作电压VRWM(V):8.500雪崩电压VBRmin(V):9.440IT(mA):1最大反向电压(钳位电压)Vc(V):14.400最大反向浪涌电流Ipp(

产品型号:MURA120T3G峰值反向电压VRRM(V):200最大平均正向电流IO(A):1最大全周期正向压降VF(V):0.875最大非重复浪涌电流IFSM(A):40最大反向电流IR(mA):0

产品型号:NTHD3101FT3G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):80最大漏极电流Id(on)(A):4.400通道极性:P封装/温度(°C):ChipFE

产品型号:1SMB60AT3G峰值反向工作电压VRWM(V):60雪崩电压VBRmin(V):66.700IT(mA):1最大反向电压(钳位电压)Vc(V):96.800最大反向浪涌电流Ipp(A):

产品型号:MURA220T3G峰值反向电压VRRM(V):200最大平均正向电流IO(A):2最大全周期正向压降VF(V):0.950最大非重复浪涌电流IFSM(A):40最大反向电流IR(mA):0

产品型号:MBRM120LT3G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):20平均整流器前向电流IO(max)(A):1瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.45@1.0A非重复峰值浪涌电流IF