MBT3906DW1T1G的技术参数

产品型号:MMSZ4689T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):4.850齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.100齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.360@Izt(mA):0.050齐纳阻抗Zzt(Ω)

产品型号:MMSD914T1G最小反向电压VR(V):100最大反向漏电流IR(?A):5正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1最大二极管电容CT(pF ):4反向恢复时间t

产品型号:NTHS5441T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60最大漏极电流Id(on)(A):5.300通道极性:P沟道封装/温度(°C):ChipF

产品型号:NTGS3443T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):65最大漏极电流Id(on)(A):2通道极性:P沟道封装/温度(°C):TSOP-6/-5

产品型号:NTHS5443T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):65最大漏极电流Id(on)(A):4.900通道极性:P沟道封装/温度(°C):ChipF

产品型号:NTGS3433T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):12源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):75最大漏极电流Id(on)(A):3.300通道极性:P封装/温度(°C):TSOP-6/

产品型号:MUN2213T1G类型:NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):80R1(Ω):47KR2(Ω):47K芯片上标识:-封装/

产品型号:MMSZ22T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):20.900齐纳击穿电压Vz典型值(V):22齐纳击穿电压Vz最大值(V):23.100@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):55最大功率

产品型号:MUN2113T1G类型:PNP集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):80R1(Ω):47KR2(Ω):47K芯片上标识:-封装/

产品型号:MBR0530T1G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):30平均整流器前向电流IO(max)(A):0.500瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.430@0.5A非重复峰值浪涌