BZX84C4V7ET1G的技术参数

产品型号:MM3Z2V4ST1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):2.200齐纳击穿电压Vz典型值(V):2.400齐纳击穿电压Vz最大值(V):2.600@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):100

产品型号:MM5Z4V3T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):4齐纳击穿电压Vz典型值(V):4.300齐纳击穿电压Vz最大值(V):4.600@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):90最大功率PM

产品型号:MM5Z2V4ST1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):2.430齐纳击穿电压Vz典型值(V):2.400齐纳击穿电压Vz最大值(V):2.630@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):100

产品型号:MMSZ5V1T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):4.850齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.100齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.360@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):60最大

产品型号:MAC4DCMT4G断态重复峰值电压VDRM(Max)(V):600反向重复峰值电压VRRM(Max)(V):600额定正向平均电流IF(Max)(A):4门极触发电流IGT(Max)(mA

产品型号:MAC4DSNT4G断态重复峰值电压VDRM(Max)(V):800反向重复峰值电压VRRM(Max)(V):800额定正向平均电流IF(Max)(A):4门极触发电流IGT(Max)(mA

产品型号:MLD1N06CLT4G通态电阻RDS(on)(Max)(Ω)(@VGS=5.0V):0.750过压保护:Yes过流保护:Yes过热保护:NoESD:Yes总功耗Pd(W):40封装/温度(

产品型号:NTHD4P02FT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):155最大漏极电流Id(on)(A):3通道极性:P沟道封装/温度(°C):ChipFET

产品型号:NZMM7V0T4最大雪崩电压VBR(V)最小值:6最大雪崩电压VBR(V)典型值:7反向漏电流IR(uA)最大值:1反向工作电压VRWM(V):3线电容CLINE(pF)@2.5V典型值:

产品型号:UMZ1NT1G类型:NPN/PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):50集电极最大电流Ic(max)(mA):200直流电流增益hFE最小值(dB):200直流电流增益hFE最大值