基础电子中的电磁密封衬垫
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基础电子中的邻近效应
当相邻的导线流过电流时,会产生可变磁场,从而形成邻近效应,如果邻近效应发生在绕组层间时,其危害性是很大的。 邻近效应比集肤效应更严重,因为集肤效应只是将导线的导电面积限制在表面的一小部分,增加了铜
20 2020-11-17 -
基础电子中的SFI原理
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21 2020-11-17 -
基础电子中的OSE简介
MA的研究成果集中体现为OSE(OMA业务环境)模型,并作为其定义OMA业务引擎的指导思想和基础。OSE体系框架结构如图所示。 图 OSE体系框架结构 (1)业务引擎实现 业务引擎在运营商
26 2020-11-17 -
基础电子中的IGBT模块
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23 2020-11-17 -
基础电子中的逻辑元件
大多数工程师选择逻辑元件时重点考虑的是其功能、运行速度和内部逻辑门的传输延迟,很少把精力放在考虑逻辑元件的电磁效应上。但实际情况是,当元件的运行速度加快时,伴随着内部传输延迟下降,射频电流会增大,导致
13 2020-11-17 -
基础电子中的磁心损耗
磁心的损耗Pc有三种,即磁滞损耗Ph、涡流损耗Pc和剩余损耗Pe。磁滞损耗Ph正比于静态磁滞回线包围的面积和磁心的体积,当初级励磁磁通在磁心中穿过时,磁心本身也相当于一个单匝的次级绕组,其感应电压在磁
27 2020-11-17 -
基础电子中的电压调试
组装完毕后,按原理图及工艺要求检查整机安装情况,着重检查电源线、变压器连线、输出连线及A和B两块印制板的连线是否正确、可靠,连线与印制板相邻导线及焊点有无短路及其他缺陷。 通电后,进行如下几项的调
18 2020-11-17 -
基础电子中的HID简介
当初USB是为了取代原先架构在PC的各种接口(如打印机的并行接口、通信协议的串行外围设备接口)而设计开发的。因此,对于现 今许多共享的外围设备类型以及更多的特定设备的使用来说,USB算是非常多用途与多
24 2020-11-17 -
基础电子中的SPI原理
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11 2020-11-29 -
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蜂房式线圈如图所示。此种线圈的绕制方法是为克服多层线圈本身分布电容较大的不足而采用的绕制方式。该种线圈的优点是体积小、分布电容小、电感量大,多用于收音机、收录机的中波振荡电路和高频滤波电路。 图:蜂房
7 2020-11-25
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