MOSFET驱动研究

介绍一种关于双峰效应(Double-Hump)的评估方法。通过对MOSFET的Id~Vg曲线的分析,双峰效应的程度可以用数字化评估。采取这种量化表征,细致地研究了双峰效应与掺杂浓度的关系。建立了MOS

本文详细分析计算开关损耗,并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程,从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET。

凌力尔特(Linear)推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4449,该器件为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET 而设计。这个驱动器结合凌力尔特公司的 DC/DC

功率MOSFET以其导通电阻低和负载电流大的突出优点,已经成为开关电源(switch-mode power supplies,SMPS)整流组件的最佳选择,专用MOSFET驱动器的出现又为优化SMPS

目前,在驱动功率MOSFET时,广泛使用的 是传统的硬开关式栅极驱动电路,该类驱动电路 主要有以下缺点:1驱动电路本身的功率损耗较 大,限制了其在高频情况下的应用;2必须具备电 平移动的功能,增加了电

两种常见的MOSFET驱动电路设计。

松下MOSFET驱动器选型参数表pdf,松下MOSFET驱动器选型参数表。

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出两款新型IGBT和MOSFET驱动器,丰富了其已有的光耦产品线。此次发布的VO3120和VO3150A的输出电流分别为2.5A和

作为高速的开关器件,功率MOSFET比较被注目。要充分地使用它,就必须非常清楚其门驱动电路。 功率MOSFET在苴流~低速开关用途上,与以往的场效应品体管相比易于驱动是其最大的特色.但如要在高频时

前面实验的功率MOSFET是漏极损耗15OW的器件。下面,针对大容量的功率MOSFET进行实验。 这里,使用2SK1522(PD=250W、VDs=50OV、IDS=50A、Ciss=87OOpF