LDMOS器件设计中, 常采用RESURF技术来提高器件的性能。文中主要研究具有RESURF技术结构的LDMOS器件, 围绕当获得最优的器件结构时, 其外延层单位面积杂质密度Ntot不是定值这一现象展开研究, 给出了一种关于外延层单位面积杂质密度Ntot的近似解析表达式。经过大量的模拟仿真及数据分析, 发现在最优器件结构中均匀掺杂的外延层单位面积杂质密度Ntot与衬底掺杂浓度存在有规律的函数关系。最终, 通过综合分析影响器件的关键因素, 得到了最优器件的外延层单位面积杂质密度Ntot与衬底掺杂浓度的关系函数。