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利用TCAD软件优化决定LDMOS击穿电压的参数，陆鑫，，通过对决定一个参考LDMOS（LateralDouble-DiffusedMOS，横向双重扩散场效应管）器件的源漏击穿电压的各结构及其尺寸，位
提出并制造了一种具有降低的单元间距的改进的击穿电压(BV)SOI功率MOSFET。 对其击穿特性进行了数值和实验研究。 MOSFET具有双沟槽(DTMOS),源区和漏区之间的氧化物沟槽以及延伸至掩埋氧
SOI线性掺杂LDMOS的设计与实验，顾志华，荣国光，SOILDMOS是通过将电压降转嫁到漂移区上来实现耐高压的。在实际工程应用中，我们考虑的是如何用最简单的工艺流程，得到尽可能高的击
SOI LDMOS是SOI高压集成电路的核心器件,而纵向击穿电压是制约其性能的关键。本文首先指出了常规SOI LDMOS纵向耐压低的原因;然后介绍了SOI高压器件纵向耐压理论,分析了该理论中三种改善S
提出了具有复合掩埋层(CBL)的SOI LDMOS。 CBL由具有Si窗口和两个氧化物台阶的上部掩埋氧化物层(UBOX),多晶硅层和下部掩埋氧化物层(LBOX)组成。 在阻塞状态下,UBOX和LBOX
埋氧层固定电荷对SOI高压器件击穿电压的影响，郭宇锋，张波，本文通过求解具有界面电荷边界条件的二维泊松方程，建立了埋氧层固定界面电荷Qf对RESURFSOI功率器件二维电场和电势分布影响的解析模
介绍了针对各种沟槽介电常数,宽度和深度的高压SOI沟槽LDMOS的设计方法。 首次提出了一种通用的高效设计方法,其中考虑了击穿电压(BV)与特定导通电阻(Rs,on)之间的权衡。 高k(相对介电常数)
摘 要:由于PD SOI工艺平台的特殊性,P阱浓度呈现表面低、靠近埋氧高的梯度掺杂。常规体硅的高压N管结构是整个有源区在P阱里的,需要用高能量和大剂量的P注入工艺将漂移区的P阱反型掺杂,这在工艺上是不
提出了一种新颖的三重RESURF(T-surf)SOI LDMOS结构。 该结构具有P型掩埋层。 首先,耗尽层可以在P埋层的两侧延伸,用作三重RESURF,并导致高漂移掺杂和低导通电阻。 其次,在漂移
提出了一种新的具有界面空穴岛(HI)层的局部SOI(绝缘体上硅)(PSOI)高压P沟道LDMOS(横向双扩散金属氧化物半导体),并从理论上研究了其击穿特性。 高浓度的电荷积聚在界面上,其密度随负漏极电
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