论文研究利用TCAD软件优化决定LDMOS击穿电压的参数 .pdf

基于SOI技术高压LDMOS击穿电压的研究，周乐，龚大卫，本文基于SOI技术，研究影响高压LDMOS器件击穿电压的主要因素，通过软件模拟和实际工艺制造相结合的方法进行实验，以获得700V以上击穿

提出并制造了一种具有降低的单元间距的改进的击穿电压(BV)SOI功率MOSFET。 对其击穿特性进行了数值和实验研究。 MOSFET具有双沟槽(DTMOS),源区和漏区之间的氧化物沟槽以及延伸至掩埋氧

利用小波变换与神经网络相结合的方法，采用“能量-故障”特征提取方法和BP算法，提出了一种基于小波分析和神经网络的数字电路瞬态电流IDDT故障诊断方法。该方法首先采样电源到地的瞬态电流IDDT，然后通过

电压型ICPT系统基于品质因素的参数优化，张宇帆，孙跃，本文针对非接触电能传输系统（ICPT）最大效率传输问题，分析了电压型ICPT原副边品质因素对系统传输能力和效率的影响；同时对系统原�

由于优化杜鹃算法是利用了鸟类特殊的利维飞行模式的群体智能算法, 并且增加了粒子间的信息交流, 故将该算法引入支持向量机惩罚系数和核参数的自动寻优中。给出了实现方式, 并讨论了概率参数的设置对收敛性的影

SOI线性掺杂LDMOS的设计与实验，顾志华，荣国光，SOILDMOS是通过将电压降转嫁到漂移区上来实现耐高压的。在实际工程应用中，我们考虑的是如何用最简单的工艺流程，得到尽可能高的击

将最优梯度算法应用于指数平滑模型，通过构造优选并自动生成的最佳平滑参数使模型得以优化，增强了指数平滑模型对时间序列的适应能力，较好地解决了指数平滑预测中，平滑参数靠检验确定且为静态、平滑初值难以确定并

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脉冲电压作用下液体食品击穿特性研究，魏新劳，朱博，液体食品异常击穿是脉冲电场灭菌技术中的技术瓶颈之一。深入研究液体食品在脉冲电压作用下的击穿特性、探究其击穿机理，对于有效