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利用飞秒时间分辨圆偏振光抽运探测饱和吸收技术,研究了典型的III-V族半导体InP和II-VI族半导体CdTe的电子自旋弛豫动力学过程。实验结果表明,CdTe的自旋弛豫过程比InP快,只有几个皮秒。随
CoFeB/MgO铁磁薄膜超快自旋动力学的微区测量
表面等离激元因具有能突破光学衍射极限、表面局域性和近场增强等奇特的光学性质,被广泛应用于光伏、光催化和光电探测等研究领域。将具有高效光捕获特性的表面等离激元与传统半导体器件相结合,可以极大地提高传统半
回顾了锁模光纤激光器中各种孤子动力学特性的研究状况,介绍了近年来基于色散傅里叶变换(DFT)技术的超快光纤激光器孤子瞬态动力学特性的研究进展,分析了同时利用时间透镜和DFT技术的超快现象多尺度探测,这
本征GaAs中电子自旋极化对电子复合动力学的影响研究,滕利华,余华梁,采用时间分辨圆偏振光和线偏振光抽运-探测光谱,研究了9.6K温度下、本征GaAs中自旋极化电子与非极化电子的复合动力学及其随光子能
太赫兹人工电磁超材料一直存在损耗大、性能不佳和不可灵活调控等问题。超导材料的损耗极低,是太赫兹波段高性能功能器件的优选材料之一。介绍了太赫兹超导人工电磁超材料的发展,并详细总结了其低损耗的特性以及灵活
GaAs中轻、重空穴对电子自旋相干动力学的影响,滕利华,牟丽君,研究了9.6K低温下、本征GaAs高过超能量态电子自旋相干动力学的浓度依赖,发现当光子能量为1.57eV,载流子浓度较大时电子自旋相干量
半导体纳米结构中的自旋动力学及自旋调控,吴明卫,,本文综述了我们在半导体纳米结构系统中,基于动力学自旋Bloch方程,对自旋进动和自旋扩散/输运中的自旋弛豫/退相干方面的理论研�
太赫兹波导器件研究进展,黄婉文,李宝军,近年来,随着国际上掀起的太赫兹研究热,太赫兹科学技术的发展更为迅速。与此同时,以波导为基础的、用于太赫兹传输的器件应运而
讨论了弯曲时空中旋转粒子的动力学,强调了哈密顿公式。汉密尔顿的不同选择允许描述不同的引力系统。我们给出了具有最小哈密顿量的最简单情况的完整结果,构造了包括自旋在内的运动常数。Schwarzschild
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