Determinationof Temperature Dependent Stress State in Thin AlGaN Layer of AlGaN/

目前,发光波长短于360 nm的深紫外发光二极管 (DUV LEDs) 的外量子效率 (EQE) 普遍低于10%。一方面,基于高AlN组分AlGaN材料量子阱的出光中存在大量的横磁 (TM) 模式的偏

hoopstress

Algorithmforfull-chipTSVstressmodelingfor3DIC.

本研究旨在探索铁电极化如何影响AlGaN_Ga...中的二维电子气，通过实验数据和模拟研究得出结论。研究发现，铁电极化可以对二维电子气在晶格中的定位和流动产生微观调控效应。这一发现有望为后续研究提供重

用于零偏置微波检测的高灵敏度AlGaN / GaN横向场效应整流器

据报道,在6 K下,Al-.GaN / GaN异质结构中的二维电子气(2DEG)漂移引起的宽带太赫兹(THz)发射。 该器件根据史密斯-珀塞尔效应和2DEG中“浅水”等离子体的不稳定性机理设计为THz

厚的LPCVD-生长的SiNx层钝化的GaN HEMT中的坚固的SiNx / AlGaN界面

AlGaN紫外发光二极管中的泄漏电流的观察与建模

MBE生长的AlGaN / AlN量子阱结构在260 nm处发出深紫外光

带有T形场板的AlGaN / GaN HEMT中电场和击穿性能的调制机制分析