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潜伏 带有在ChEMBL 25 [2]上训练的异质编码器的LatentGAN [1],该编码器将SMILES字符串编码为大小为512的潜在矢量表示。然后训练具有梯度惩罚[3]的Wasserstein生
表面态对AlGaN/GaN异质结构2DEG影响的模拟分析，杨帆，林哲雄，该文章主要利用模拟软件研究施主表面态特性与AlGaN/GaN异质结构中二维电子气（2DEG）形成之间的关系，主要分析施主表面态电
我们研究了AlGaN / GaN异质结构中电子速度的变化取决于关于照明光的强度和波长。 结果表明,高电子速度下的电子速度在带上光照下,磁场增加。 发现这种电子速度的增强与与热电子相互作用并因此加速的光
自组织刻面GaN岛上的InGaN / GaN量子阱:生长和发光研究
SiNx基阻变存储器的单双极阻变特性演变探究，尤嘉旸，沈自晓，本文首次探究了SiNx基阻变存储器单双极特性的演变机制，发现氢化非晶氮化硅薄膜具有典型的双极阻变特性；而纳米晶硅镶嵌的氮化硅��
AlGaN is the material of choice for high-efficiency deep UV light sources, which is the only alterna
基于有效质量近似,以变化的方式研究了电场和流体静压力对圆柱形Zbl GaN / AlGaN量子点(QD)中激子态的影响。 数值结果表明,在任何静水压力下,电场都会显着降低基态激子结合能和带间跃迁能。
本资源详细介绍了氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的基本结构和关键参数，深入探讨了该器件的工作原理、材料特性、结构组成和电气参数等方面的内容，并介绍了GaN HEMT在功率电子、射频微波和
该资源为电子信息工程、通信工程、微电子学等相关专业的本科生和研究生以及从事半导体器件测试研究的工程师和技术人员提供了GaN HEMT器件测试的详细方法与技术解析。主要包括GaN HEMT器件测试的关键
钝化层是在制造过程结束时置于硅片中的微控制器表面的。这一层阻止了芯片表面的氧化(由于大气中的 氧气)和其他化学过程。在对芯片进行任何操作之前必须去掉钝化层,图1和图2即为钝化层及其监控器的照 片。必须
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