本资源详细介绍了氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的基本结构和关键参数，深入探讨了该器件的工作原理、材料特性、结构组成和电气参数等方面的内容，并介绍了GaN HEMT在功率电子、射频微波和光电子等领域的应用。该资源适合从事半导体器件设计、功率电子、射频微波和光电子等领域的工程师、科研人员和学生，以及对半导体器件和电子技术感兴趣的读者使用。此外，本资源还可以作为半导体器件课程的参考教材，帮助读者更好地理解GaN HEMT器件的特性和应用，提高其设计和开发能力。