# GaN HEMT
AlGaN GaN HEMT的改进DC模型
本文提出了一种改进的GaN高电子迁移率晶体管HEMT的DC IV特性的经验模型。 改进之处在于允许Curtice模型参数随栅极-
GaN HEMT基本结构和关键参数详解
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GaN HEMT器件测试方法与技术详解
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Modulation of Multidomain in AlGaN GaN HEMT Like Planar Gunn Diode
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基于GaN Hemt同步整流Buck变换器研究
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具有两个沟道层的GaN InAlGaN的新型高性能GaN基HEMT
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High_efficiency_ClassE_tuned_Doherty_amplifier_using_GaN_HEMT.pdf
ClassE论文，非常经典，值得一看。
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无意掺杂的GaN缓冲层中的陷阱能级对优化的p-GaN栅极AlGaN / GaN HEMT的影响
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基于动态负载线GaN HEMT大信号模型和负载牵引技术设计并制作了一款工作在2 GHz的高效率谐波调谐功放。在晶体管寄生参数和封