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具有漏场板和浮置场板的肖特基漏极AlGaN / GaN HEMT的反向阻挡特性和机理
本文提出了一种改进的GaN高电子迁移率晶体管HEMT的DC IV特性的经验模型。 改进之处在于允许Curtice模型参数随栅极-源极电压而变化。 模型参数提取是针对100微米栅宽的GaN HEMT。
基于有效质量近似,在ZB GaN / AlGaN量子阱(QW)中以可变方式研究了激光场和外加电场对杂质态的竞争效应。 数值结果表明,对于任何激光场,电场都会使供体结合能相对于QW中心呈不对称分布。 此
LPCVD和PECVD-SiNx钝化的AlGaN / GaN HEMT的比较研究
在本文中,我们证明了通过使用新的肖特基接触技术,晶格匹配的In0.17Al0.83N / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的截止状态击穿电压(BV)改善了253%。 基于此概念,提出了肖特基源/漏
含有Al组分阶变AlGaN过渡层的Si基AlGaN/GaN HEMT
无意掺杂的GaN缓冲层中的陷阱能级对优化的p-GaN栅极AlGaN / GaN HEMT的影响
肖特基源技术实现的高击穿电压InAlN / AlN / GaN HEMT
本文解决了基于AlGaN / GaN的高电子迁移率晶体管中经常出现的电流崩溃问题,该问题是由栅极边缘周围器件表面上的峰值电场引起的,当栅极长度缩小至100nm以下时,该问题会加剧。频率运行。 为提高器
高压AlGaN / GaN肖特基势垒二极管的电场调制技术
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