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研究了相应国家点火装置(NIF)条件下的靶。讨论了用含有少量铜的氘化铍BeD2作靶的壳层材料。选择了保证DT燃料点火的靶的壳层参数和照射靶的X射线脉冲形状。表明了靶参数最佳时,它的热核释能为~19MJ
采用矩阵光学方法,研究了串接多靶、弯曲靶加反射镜“双程放大”X射线激光输出特性,给出了发散角普遍公式,分析了电子密度梯度分布、反射镜角度失调对X射线激光输出场分布的影响,所得结果与已有实验符合得较好。
美国光谱技术公司研制出一种高亮度激光等离子体源,用于集成电路的χ射线光刻术的快速生产。该法可能使晶片生产效率大大提高。目前,在集成电路平版印刷术中紫外线法占统治地位,然而该技术无法满足亚微米线宽的要求
美帝麻省理工学院物理与电工系的科多维尔(R. H. Cordover)在一次报告中说,“将来X射线激光器的发展,使之可能制成有用放大倍率较目前的电子显微镜高的显微装置。虽然某些困难有待解决,但制造发射
上海软X射线自由电子激光装置(SXFEL)是中国第一台X射线相干光源,其辐射波长可覆盖水窗波段。为满足不同的用户需求,装置将加装椭圆极化波荡器,运行模式可在线偏振与圆偏振之间切换。基于SXFEL装置对
Unity sci-fi special effects scanning laser ray
γ射线激光器,激光研究最不可捉摸的目标之一,由于得克萨斯大学的可调谐γ射线辐射的演示而前进了一步。C. B. Collins和B. D. Depaola用无线电波照射受激铁-57原子核,产生低于0.1
我们认为有两类γ射线激光器是可能的:利用同质异能素分离和默斯鲍尔效应的弱泵浦类型,和用快中子激励被压缩物质的强泵浦类型。
利用全息光刻和离子束刻蚀技术制作了用于软X射线聚焦和色散的三种参数的高精度菲涅耳(Fresnel)波带片,给出了实验结果。
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