通过实验对比的方法对单晶硅太阳电池电致发光(EL)缺陷及不同工艺的影响进行了分析,测试了电池片的开路电压、短路电流、填充因子、光电转换效率等性能参数,并统计了太阳电池片的EL缺陷比例。实验发现浆料组分配比、烧结工艺稳定性及硅片质量是引起太阳电池EL缺陷的主要原因,浆料质量、丝网印刷工艺参数、烧结温度稳定性及镀膜工艺的减反射及钝化效果也对太阳电池的光电转换效率存在一定的影响。在此基础上,通过分析建议改善烧结工艺稳定性,采用性能更好的浆料和硅片,优化丝网印刷参数及氨气和硅烷流量比,来改善太阳电池EL缺陷,提高太阳电池的光电转换效率和合格率。