能带调控提高GaN/InGaN多量子阱蓝光LED效率研究

基于有效质量近似,对锌共混物(ZB)InGaN / GaN非对称多量子阱(AMQW)中静水压力对施主结合能的影响进行了研究。 数值结果表明,静水压力增加了任何杂质位置的施主结合能。 此外,如果杂质位于

与传统的双异质结激光器相比,多量子阱激光器的阈值电流密度低,阈值电流与温度关系较小,动态特性也有所改善。然而,对髙功率发射没做过任何研究,尽管D. R. Scifres等人已从多条形(40条宽为3.5

采用差分法求解有效质量方程,考虑轻重空穴的混合效应及应变效应,对三种不同形状的量子阱的能带结构、价带态密度、跃迁矩阵元进行了比较。在阱宽相同的条件下,方阱有最大的限制能力,但抛物阱和三角阱有更平坦的态

采用反射式二次谐波产生方法对非对称II-VI族耦合量子阱Zn1-xCdxSe/ZnSe的非线性光学特性进行了研究。与衬底相比,非对称量子阱在可见光波段的二次谐波信号增强一个量级以上。测量和比较了室温下

以Al0.3Ga0.7As/InAlGaAs/Al0.3Ga0.7As压应变量子阱代替传统的无应变量子阱作为有源区,实现降低808 nm半导体激光器的阈值电流,并提高器件的效率。首先优化设计了器件结构

考虑到施加到左侧(与生长方向相反)的电场的影响,我们已经进行了圆柱形Zbl InGaN / GaN非对称耦合量子点(QDs)中浅施主杂质态的理论计算。 数值结果表明,ZB InGaN / GaN非对称

大家都知道提高LED驱动电源效率最常见的就是优化电子变压器参数设计,减少振铃带来的涡流损耗。但是除了这样还有没有相关的技巧呢?现在跟大家分享提高LED驱动电源效率的八种技巧希望能够帮到大家。

新技术提高液晶电视LED背光效率

ZnO/ZnMgO单量子阱室温发光性质的研究，王彦杰，张世著，本文采用脉冲激光沉积技术，在Si（111）衬底上生长了不同阱宽的ZnO/ZnMgO单量子阱。室温下，对于不同阱宽的ZnO/ZnMgO单量子

利用低压金属有机化学气相沉积技术(LP-MOCVD)生长InGaAs/GaAs单量子阱(SQW),通过改变生长速率、优化生长温度和V/III比改善了量子阱样品的室温光致发光(PL)特性。测试结果表明,