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短波区注入式半导体激光器
贝尔实验室使用的一种性能稳定的激光二极管是釆用解理耦合腔(Cleaved-Coupled-Cavity,—C3)结构的激光二极管。这种激光器不仅调频特性好,而且光谱纯度也高,用于420兆比/秒系统可使
近来,使用半导体激光器的产品在增加,如光通讯系统、用半导体激光器作光源进行再现的视频和声频唱片、激光印字机、光学唱片存贮器等都是突出的例子。这表明,半导体激光器巳经发展到了能够实际应用的阶段。事实上,
研制了一种板级多通道半导体激光器温控系统,将其应用于混合气体检测中可实现同时对多个半导体激光器温度的控制。该系统硬件上由多通道温度采集模块、数字信号处理器模块、半导体制冷器(TEC)和TEC控制模块组
报道了一种采用大光学腔结构的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱高功率半导体激光器。在量子阱能级本征值方程的数值求解基础上,优化了InGaAs阱层材料的In组份含量;采用大光学腔结构以有效降
针对大光腔结构往往导致阈值电流密度增大的矛盾,设计了一种具有较高势垒高度的三量子阱有源区。采用非对称宽波导结构的半导体激光器,该激光器在实现大光腔结构的同时保持阈值电流密度不增加。通过金属有机物化学气
研究了不同调制速率下的增益开关半导体激光器的最佳工作状态。理论分析表明,在不同的调制速率下,激光器的最佳工作状态有较大的差异。在低速调制下,激光器应该工作在较小的直流偏置下,以避免输出脉冲拖尾的产生。
研究外部光注入半导体激光器的非线性物理特性, 用小信号分析方法分析了激光器的动力学行为。分析了外部光注入对半导体激光器的激光非线性频率啁啾影响, 给出了最大静态锁模公式, 理论上指出, 有外部光注入半
本文从理论上分析了外腔半导体激光器的线宽压窄原理,用延时自外差法对外腔半导体激光器的线宽特性进行了测量研究,得到了线宽反比于激光器输出功率及外腔反馈率的实验结果.
苏修列别捷夫研究所报导了一种使用外反射镜的薄膜半导体激光器。他们为了观察激活区域的直径、阈值水平和功率之间的关系,研究过一种由以电子束来泵浦的GaAs和外共振器组成的装置。据报导,激活区的直径为0.2
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