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miRepositorio:最终密码仓库-DW
T-Mobile开发难题 这个开发难题测试了有助于tos-apps monorepo所需的技能。 完成大约需要8个小时。 完成所有任务后,解决方案给T-Mobile经理。 入门 请不要克隆或分叉此仓库
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产品型号:MBT6429DW1T1G类型:NPN/NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):45集电极最大持续电流IC(Max)(A):0.200直流电流增益hFE最小值(dB):500直流电流
产品型号:NSR15DW1T1G反向峰值电压(V):15反向雪崩电压典型值(V):20最大平均正向电流(mA):30最大全周期正向压降1:415mV@1.0mA最大全周期正向压降2:680mV@10m
产品型号:MUN5114DW1T1G类型:PNP/PNP集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):80R1(Ω):10KR2(Ω):47K芯片上
产品型号:MBT3946DW1T1G类型:PNP/NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):40集电极最大电流Ic(max)(mA):200直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益h
产品型号:MBT3904DW1T1G类型:双NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):40集电极最大电流Ic(max)(mA):200直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最
产品型号:MBT3906DW1T1G类型:双PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):40集电极最大电流Ic(max)(mA):200直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最
产品型号:MUN5313DW1T1G类型:PNP/NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):80R1(Ω):47KR2(Ω):47K芯片上
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