具有强耦合外腔的半导体激光器稳定性极限条件

对Kuznetsov采用的速率方程加以修正,考虑了俄歇效应的影响,载流子寿命不再作为常数处理,而写成载流子浓度的函数。由此导出了两段式半导体激光器存在双稳的必要条件,计算结果表明,吸收区偏置电流对双稳

利用光纤耦合实现了两个半导体激光器同时纵向泵浦Nd:YAG激光器。实验研究了激光器的阈值和激光器输出的光强分布与泵浦光场之间的关系。实验发现当两个半导体激光器采取一定顺序启动时,可以降低固体激光器的阈

理论分析并制备了1.31 μm正方形-Fabry-Perot(FP)耦合腔半导体激光器,其中正方形腔作为FP腔的一个反射端面,其反射率可以通过改变注入正方形腔的电流调节。正方形模式和FP模式之间的模式

研究分析了980 nm半导体激光器的腔面温度特性。半导体激光器腔面光学灾变损伤(COD)是限制器件寿命和高功率输出的主要因素,通过分析腔面热源,建立腔面温度分布模型,分析了腔面温度场分布。设计了以金刚

本文描述了一种新结构半导体激光器阵列——非对称补偿条形复合腔半导体激光器阵列.这种列阵是由7个或9个非对称半腔长交叉错开的条形电极形成7个或9个复合腔结构,光束在腔中以交叉的方式耦合.从该结构列阵得到

对长轴为12 μm、短轴为10 μm 并在长轴处直连2 μm 宽输出波导的椭圆微盘激光器的热特性进行了实验和理论分析。测量连续电流注入微腔激光器的稳态特性,根据其波长红移计算器件热阻为Z

与传统的边发射半导体激光器相比,垂直腔面发射激光器(VCSEL)具有光束质量好、阈值电流低、易于二维列阵集成和制造成本低廉等优点。近年来,以VCSEL为基础发展起来的电抽运和光抽运垂直外腔面发射激光器

为了提高半导体激光器腔面膜的激光损伤阈值,进而提高激光器输出功率,对激光器的灾变性光学镜面损伤产生的原因进行了探讨。根据损伤原理,将高反膜中场强最大处移出界面,采用光学传输矩阵,对厚度连续变化的界面场

采用柱透镜对半导体激光器(LD)的输出光束进行了有效收集、预准直及多模光纤之间的耦合实验。采用808 nm波长,150 μm条宽结构的激光器件,与200 μm芯径平端光纤的耦合效率高达90%以上,光纤

从半导体激光器的光参数积出发,给出了一种集光束准直、整形、聚焦及耦合的高功率半导体激光器阵列光束的光纤耦合方法。推导出了正交的两组准直微透镜阵列的面形公式;计算了准直光束的准直精度和聚焦光学系统参数。