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p型掺杂浓度对反射型GaN光电阴极的影响
为了提高GaN阴极的紫外探测效率,提出了一种由体内到表面、掺杂浓度由高到低的变掺杂GaN阴极材料结构,采用超高真空(Cs,O)激活工艺进行了阴极制备,对均匀掺杂和变掺杂GaN光电阴极的光谱响应特性进行
以“三步发射模型”为基础, 采用积分的方法推导出反射式和透射式负电子亲和势(NEA)光电阴极的量子产额表达式, 其中反射式阴极的表达式和传统的求解扩散方程得出的表达式完全相同, 而根据透射式阴极的表达
可以用来对药物制剂的处方设计；绘制响应面立体图
采用湿法硫钝化的方式,显著降低了砷化镓(GaAs)材料的表面态密度。钝化处理后的GaAs薄膜光致发光强度提高了约14倍,光电流和响应度均增大。从能带角度分析了样品性能提升的原因,结果表明,钝化处理有利
一种基于内容的三维模型检索方法，均匀分割主曲线的三维形状描述
光谱数据分析方法，光谱曲线分形特征研究，高光谱
欧姆GaAs纳米线光电探测器的制备与表征
由两块GaAs材料和一个电阻组成的光电子开关直接接到普克尔盒电极上,采用高阻输出方式工作,获得了宽度连续可调的ns、kV脉冲,输出效率达84%。
在已经得出了场解后,就可以画出其场分布和强度分布图。为了描述多模特性,定义一个较大的多模光波导,参数如下:n1=3.5,n2=1.46,n3=3.5,λ0=1.55 gm,h=1.0um。芯层中的偶阶
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