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常用连续半导体激光器的输出光功率一般在几毫瓦以上,输出光功率在几十~几百毫瓦或更大功率的连续半导体激光器正逐步扩大应用范围.
用光束传播法(Beam Propagating Method)计算并分析了用半导体激光器端面抽运的1.084 μm Nd:Ti:LiNbO
可在室温附近连续工作的双异质结半导体激光器,近几年来已在日本得到大力发展。这种激光器分为三类:(1)波长范围0.8微米的AlGaAs激光器称为短波激光器;(2)波长范围为1微米的InGaAsP激光器称
日本三菱电机公司中央研究所,最近试制成一种通过改变注入电流的大小,可用两种波长交替或同时振荡的量子阱GaAs半导体激光器。激光器的有源层只有0.01微米厚,它的上下方是AlAs-GaAs超晶格结构。条
以InGaAs/GaAs应变量子阱材料为例,介绍了考虑能带及波函数的混合效应的6×6 Luttinger-Kohn哈密顿量,提出用有限差分法求解含Luttinger-Kohn哈密顿量的有效质量方程,数
实验研究了质子轰击条形GaAs/GaAlAsDH半导体激光器的像散特性.
本文从范德玻尔(van der Pol)方程出发,导出了描述延迟自差拍法谱宽测量的公式。讨论了各结构参数对测量的影响。报道了用该法对单频半导体激光器测量的一些结果。
研究了热起伏、场零点飘移和自发辐射对半导体激光器AM和FM噪声的影响。
目前,减小二极管激光器输出光束的扩散角已成为一个集中研究的课题。基于宽度相同的激光器发出的窄光束,其横向扩散角是5°。锁相阵激光器发出的光束,其横向扩散角只有1.5、它可用于基模振荡和高次模振荡。然而
半导体激光器光束由于其波导结构,出射光束发散角很大,属于非傍轴光束,使得用傍轴理论处理精度不高。为了精确地描述光场分布,需用更精确的非傍轴矢量理论进行分析。针对半导体激光器光束传输特性,运用光波矢量传
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